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      限制電壓比

      限制電壓比是指在通流能力實驗中通過特定電流時加在壓敏電阻器兩端的電壓Up與壓敏電壓U1mA的比值。它體現(xiàn)了壓敏電阻器在大電流通過時的非線性特性，限制電壓比越小，越能起到保護(hù)電路的作用。通流值和限制電壓比一同反映了壓敏電阻工作特性的好壞，即是壓敏電阻通流值越大越能吸收浪涌電流，限制電壓比越小，分流作用就越明顯，保護(hù)特性就越好。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊，廠家直銷！

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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ　的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個耗盡層的存在，使得　 ＺｎＯ　 壓敏電 阻對極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個背對 背的二極管。進(jìn)一步說，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當(dāng)施加外電壓時，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢壘電勢，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。

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